Samsung MZ-V7E250BW
Informations détaillées

9.8 / 10
Notation
Caractéristiques de Samsung MZ-V7E250BW
| Caractéristiques générales | |
|---|---|
| Type | SSD |
| Prise en charge de secteurs de 4 Ko | il y a |
| Type de mémoire flash | TLC 3D NAND |
| Contrôleur | Samsung Phoenix |
| But | pour ordinateur portable et bureau |
| Facteur de forme | 2280 |
| Caractéristiques de l'entraînement | |
| Volume | 250 Go |
| Vitesse d'écriture / vitesse de lecture | 1500/3400 Mo / s |
| Vitesse d'écriture aléatoire (blocs de 4 Ko) | 350000 IOPS |
| Mémoire tampon | 512 Mo |
| L'interface | |
| Connecteur m.2 | oui |
| Connexion | PCI-E 3.0 x4 |
| Prise en charge standard de NVMe | il y a |
| Soutien TRIM | il y a |
| Mécanique / Fiabilité | |
| Résistance aux chocs pendant le fonctionnement | 1500 G |
| Résistance aux chocs lors du stockage | 1500 G |
| Temps d'échec | 1500000 h |
| Nombre total d'octets écrits (TBW) | 150 To |
| Température maximale de travail | 70 ° C |
| Facultatif | |
| Consommation d'énergie | 5,40 W |
| Cryptage des données | il y a |
| Dimensions (L × H × P) | 22x2,38x80 mm |
| Poids | 8 g |
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