Samsung MZ-V7E250BW
Informations détaillées
9.8 / 10
Notation
Caractéristiques de Samsung MZ-V7E250BW
Caractéristiques générales | |
---|---|
Type | SSD |
Prise en charge de secteurs de 4 Ko | il y a |
Type de mémoire flash | TLC 3D NAND |
Contrôleur | Samsung Phoenix |
But | pour ordinateur portable et bureau |
Facteur de forme | 2280 |
Caractéristiques de l'entraînement | |
Volume | 250 Go |
Vitesse d'écriture / vitesse de lecture | 1500/3400 Mo / s |
Vitesse d'écriture aléatoire (blocs de 4 Ko) | 350000 IOPS |
Mémoire tampon | 512 Mo |
L'interface | |
Connecteur m.2 | oui |
Connexion | PCI-E 3.0 x4 |
Prise en charge standard de NVMe | il y a |
Soutien TRIM | il y a |
Mécanique / Fiabilité | |
Résistance aux chocs pendant le fonctionnement | 1500 G |
Résistance aux chocs lors du stockage | 1500 G |
Temps d'échec | 1500000 h |
Nombre total d'octets écrits (TBW) | 150 To |
Température maximale de travail | 70 ° C |
Facultatif | |
Consommation d'énergie | 5,40 W |
Cryptage des données | il y a |
Dimensions (L × H × P) | 22x2,38x80 mm |
Poids | 8 g |
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