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Samsung MZ-V7E250BW

Informazioni dettagliate
9.8 / 10
valutazione

Caratteristiche di Samsung MZ-V7E250BW

Caratteristiche generali
tipo SSD
Supporto per settori di 4 KB c'è
Tipo di memoria flash TLC 3D NAND
controllore Phoenix di Samsung
appuntamento per laptop e desktop
Fattore di forma 2280
Caratteristiche di guida
volume 250 GB
Velocità di scrittura / Velocità di lettura 1500/3400 MB / s
Velocità di scrittura casuale (blocchi 4KB) 350000 IOPS
Memoria buffer 512 MB
interfaccia
Connettore m.2
collegamento PCI-E 3.0 x4
Supporto standard NVMe c'è
Supporto TRIM c'è
Meccanica / Affidabilità
Resistenza agli urti durante il funzionamento 1500 G
Resistenza agli urti durante lo stoccaggio 1500 G
Fallire il tempo 1500000 h
Numero totale di byte scritti (TBW) 150 TB
Temperatura massima di esercizio 70 ° C
Inoltre
Consumo di energia 5,40 W
Crittografia dei dati c'è
Dimensioni (L × A × P) 22x2,38x80 mm
peso 8 g
Samsung MZ-V7E250BW è stato selezionato per la valutazione:
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